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1.利用貼片陶瓷電容器介質(zhì)層的薄層化和多層疊層技術(shù)，使電容值大為擴(kuò)大
2.單片結(jié)構(gòu)保證有極佳的機(jī)械性強(qiáng)度及可靠性
3.極高的精確度，在進(jìn)行自動(dòng)裝配時(shí)有高度的準(zhǔn)確性
4.因僅有陶瓷和金屬構(gòu)成，故即便在高溫，低溫環(huán)境下亦無(wú)漸衰的現(xiàn)象出現(xiàn)，具有較強(qiáng)可靠性與穩(wěn)定性
5.低集散電容的特性可完成接近理論值的電路設(shè)計(jì)
6.殘留誘導(dǎo)系數(shù)小，確保上佳的頻率特性
7.因電解電容器領(lǐng)域也獲得了電容，故使用壽命延長(zhǎng)，更造于具有高可靠性的電源
8.由于ESR低，頻率特性良好，故最適合于高頻，高密度類型的電源

工作溫度范圍: -55～125℃
額定電壓: 100VDC～3000VDC
溫度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃（EIA Class I）
X7R:≤±15%,-55～125℃（EIA Class II）
容量范圍: NPO:2pF to 100nF;
X7R:150pF to 2.2uF
損失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000；
X7R:D.F.≤2.5%
絕緣電阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取兩者最小值
老化速率: NPO:1%;
X7R:2.5% 一個(gè)decade時(shí)間

車載/手機(jī)無(wú)線充電器專用KEMET (基美)品牌高頻NPO/COG材質(zhì)高壓貼片電容
C1812C104J1GACTU 1812 100V 104J NP0 高頻低阻
C1812C104J5GACTU 1812 50V 104J NP0高頻低阻
C1812C473J1GACTU 1812 100V 473J NP0高頻低阻
C1812C683J1GACTU 1812 100V 683J NP0 高頻低阻

日本TDK一級(jí)代理供應(yīng)高頻貼片電容，無(wú)線充電器專用，日本原裝進(jìn)口，大量現(xiàn)貨，歡迎來(lái)電詳詢。
TDK電容C3216COG1H104J 1206 NPO 50V 0.1UF 5%
TDK電容C3216COG1H473J 1206 NPO 50V 0.047UF 47NF 5%，
TDK電容C3216C0G1H683J 1206 NP0 50V 68NF 5%精度
TDK電容C4532COG2A104J 1812 NPO 100V 0.1UF 5%
TDK電容C4532COG2A473J 1812 NPO 100V 0.047UF 47NF 5%
TDK電容C3225C0G1H104J 1210 NP0 50V 0.1UF 100nf 5%精度
TDK電容c3225c0g2a683j 1210 npo 100v 68nf 5%精度
TDK電容C3225COG2A104J 1210 NPO 100V 100NF 5%精度
TDK電容C3225COG2A473J 1210 NPO 100V 47NF 5%精度
車載級(jí)TDK高頻電容CGA5F2C0G2A562J 1206 COG 100V 5.6NF 5%精度
以上都是NPO材質(zhì) +/-5%精度，高頻貼片電容，適用于高頻消振，溫度補(bǔ)償電容。

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